이슈논문

Data Report>이슈논문

이슈 키워드 논문 TOP10

이슈논문
| | | | 다운로드

KCI등재

1유기전계효과 트랜지스터의 반도체/고분자절연체 계면에 발생하는 비가역적 전하트래핑에 관한 연구

저자 : 임재민 ( Jaemin Im ) , 최현호 ( Hyun Ho Choi )

발행기관 : 한국접착및계면학회 간행물 : 접착 및 계면 21권 4호 발행 연도 : 2020 페이지 : pp. 129-134 (6 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

공액분자반도체와 고분자절연체 계면에서 전하트래핑을 이해하는 것은 장시간 구동가능한 안정성 높은 유기전계효과 트랜지스터(이하 유기트랜지스터) 개발을 위해 중요하다. 본 연구에서는 다양한 분자량의 고분자절연체를 이용한 유기트랜지스터의 전하이동 특성을 평가하였다. Polymethyl methacrylate (PMMA) 표면 위에 적층된 펜타센 공액반도체의 모폴로지와 결정성은 PMMA 분자량에 무관함이 나타났다. 그 결과 트랜지스터 소자의 초기 트랜스퍼 곡선과 전하이동도는 분자량에 상관없었다. 하지만, 적정한 상대습도 환경에서 소자에 바이어스가 인가되었을 경우, 바이어스 스트레스 효과로 불리는 드레인전류 감소와 트랜스퍼 곡선 이동은 PMMA 분자량이 감소할수록 증대됨이 관찰되었다(분자량 효과). 분자량 효과에 의한 전하트래핑은 회복이 매우 어려운 비가역적인 과정임을 밝혀내었다. 이러한 분자량 효과는 PMMA 존재하는 고분자사슬 말단의 밀도 변화에 의한 것으로 판단된다. 즉, PMMA 고분자사슬 말단이 가지는 자유부피가 전하트랩으로 작용하여 분자량에 민감한 바이어스 스트레스 효과를 일으킨 것으로 판단된다.


Understanding charge trapping at the interface between conjugated semiconductor and polymer dielectric basically gives insight into the development of long-term stable organic field-effect transistors (OFET). Here, the charge transport properties of OFETs using polymer dielectric with various molecular weights (MWs) have been investigated. The conjugated semiconductor, pentacene exhibited morphology and crystallinity, insensitive to MWs of polymethyl methacrylate (PMMA) dielectric. Consequently, transfer curves and field-effect mobilities of as-prepared devices are independent of MWs. Under bias stress in humid environment, however, the drain current decay as well as transfer curve shift are found to increase as the MW of PMMA decreases (MW effect). The charge trapping induced by MW effect is irreversible, that is, the localized charges are difficult to be delocalized. The MW effect is caused by the variation in the density of polymer chain ends in the PMMA: the free volumes at the PMMA chain ends act as charge trap sites, corresponding to drain current decay depending on MWs of PMMA.

KCI등재

2MES 기반 MCRS 자동처리를 위한 TMAP 구현 - A사(社) 반도체 Etch 공정 중심으로 -

저자 : 임철 ( Cheol Im ) , 구성태 ( Sung Tae Ku )

발행기관 : 한국경영공학회 간행물 : 한국경영공학회지 25권 2호 발행 연도 : 2020 페이지 : pp. 187-205 (19 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

키워드 보기
초록보기

Purpose The purpose of this paper is to implement an automated system that automatically handles MCRS problems in semiconductor lines. Methods Standardized and structured the way manual handling of MCRS problems caused by equipment problems. Therefore, MES-based automatic TMAP system, which is an automatic processing method that can be systematically processed, was implemented and applied. Results As a result, in the process of processing MCRS by applying TMAP, the intervention of workers and engineers was minimized, and the working time was reduced by about 23.1%. Conclusion However, the task of confirming the defect image of TMAP judgment is still being performed manually, and further research is needed using new IT technology.

KCI후보

3인쇄전자 기술을 활용한 지능형 반도체 소자 구현을 위한 유기전계효과 트랜지스터 소자의 광파 어닐링 효과 연구

저자 : 권미정 ( Mi Jeong Kwon ) , 박운익 ( Woon Ik Park ) , 임영수 ( Young Soo Lim ) , 남수용 ( Suyong Nam ) , 백강준 ( Kang-jun Baeg )

발행기관 : 한국화상학회 간행물 : 한국화상학회지 26권 3호 발행 연도 : 2020 페이지 : pp. 78-85 (8 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

본 논문에서는 유연/인쇄 전자 기술을 활용해 고성능의 유기물 반도체 기반 트랜지스터를 개발하고, 이를 통해 인공지능용 반도체 및 폴리모픽 전자회로에 응용하기 위해 공액구조 고분자 반도체 소재의 광파 어닐링 방법에 따른 특성 향상 효과를 연구하였다. 일반적으로 열처리를 위해 가장 많이 활용되는 핫플레이트의 경우 반도체 소자 특성의 균일도 문제와 높은 온도 및 열-용량으로 인한 플라스틱 기판 사용의 제한, 긴 어닐링 시간 등의 문제로 인해 실제 산업에서 활용하는데 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 광파를 활용한 효과적인 유기물 반도체 필름의 열처리 공정을 개발함으로써 Roll-to-Roll 방식의 고속/대면적 인쇄 공정에 적합한 열처리 방법과 반도체 층 전체의 높은 결정화도 유도를 통한 성능 향상과 소자 균일도 개선을 위한 방법을 개발하였다.


Here we study new post-treatment methods of polymeric semiconductors for the applications of printed and flexible electronics. In contrast to the conventional thermal process using a hotplate, our lightwave-assisted annealing could provide an efficient and fast way both for enhancing the molecular packing order and increasing the crystallinity of organic semiconductor thin-films through the transfer of thermal energy efficiently into the inside of the active layer. After light-wave annealing process, OFETs exhibited higher field-effect mobilities and consistent performance with a little standard deviation of electronic fundamental parameters in comparison to those of the hotplate treatment. Therefore, it is expected to be widely applied for mass productive and large area printed and flexible applications.

KCI등재

4반도체 칩 테스트용 챔버 형상에 따른 유동 균일성에 대한 수치적 연구

저자 : 이대규 ( Daegyu Lee ) , 마상범 ( Sang-bum Ma ) , 김성 ( Sung Kim ) , 김정열 ( Jeong-yeol Kim ) , 강채동 ( Chaedong Kang ) , 김진혁 ( Jin-hyuk Kim )

발행기관 : 한국수소및신에너지학회 간행물 : 한국수소 및 신에너지학회논문집 31권 5호 발행 연도 : 2020 페이지 : pp. 480-488 (9 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

This study was conducted to improve the flow uniformity inside the chip tester through changing the flow path formation according to the inlet and outlet position of chamber. The internal flow and velocity distributions of the modified chamber models (Cases 1-3) were compared with the reference chamber model through three-dimensional Reynolds-averaged Navier-Stokes equations with k-ε turbulence model. The modified chamber models showed the superior flow uniformity characteristics compared to the reference chamber model. To investigate the flow uniformity in the chip tester, the standard deviation of the velocity was defined and compared. Through the internal flow analysis and assesment of the standard deviation, Case 2 among the test cases including the reference model showed the best flow uniformity generally.

KCI등재

5중국 반도체 산업의 기술혁신 성과 분석-파운드리 기업 SMIC의 특허 분석을 중심으로-

저자 : 이찬우 ( Lee Chan-woo )

발행기관 : 중국학연구회 간행물 : 중국학연구 93권 0호 발행 연도 : 2020 페이지 : pp. 175-208 (34 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

최근 중국은 ‘반도체 굴기’라는 정부 차원의 반도체 산업 육성 정책에 나서고 있다. 이 논문은 중국내 최대 파운드리 반도체 기업인 SMIC의 특허를 TSMC(台湾积体电路制造股份有限公司)와 삼성전자와 비교하여 기술 혁신 성과를 분석하였다. 연구 방법으로 SMIC를 포함한 파운드리 3개사의 2010년부터 2019년까지 10년간 미국 특허청(USPTO)에 출원ㆍ공개된 특허를 기초 데이터로 하여 특허영향력지수(PII)와 시장확보지수(FPS) 두 가지 특허정량지표를 이용하여 이들 기업의 기술 혁신 성과를 비교ㆍ분석하였다. 분석 결과 SMIC는 특허의 양적인 측면에서 세계 선도기업과는 현저한 차이를 보이고 있고 특히 미국의 특허 출원에는 상대적으로 소극적인 점을 알 수 있었다. 다만 SMIC는 2015년 이후 5년간의 특허 수가 2010년 이후 5년간 특허 수보다 2배 이상 증가하는 점을 고려할 때 중국 정부의 반도체 지원 정책과 R&D 투자 확대 등을 통해 활발한 기술 혁신 과정 중에 있음을 시사하고 있다. 특허영향력지수(PII)로 분석한 SMIC의 기술적 수준은 G11C(정적기억) 제외한 6개 기술 분야에서 파운드리 반도체 분야의 경쟁사인 TSMC와 삼성전자에 비해 열위의 수준에 그치는 것으로 나타났다. 또한 시장확보지수 (FPS)로 평가한 SMIC의 기술 혁신 성과에서도 타 파운드리 반도체 기업에 비해 7개 IPC 전 분야에서 낮은 시장확보지수를 기록하고 있었다. 중국 정부의 대대적인 반도체 산업 지원정책과 중국내 수요 증가에도 불구하고 SMIC의 기술 혁신 성과는 세계 선도기업과 비교할 때 상대적으로 미흡한 것으로 분석되었다.


This study analyzes the technological innovation performance of SMIC, the largest foundry semiconductor company in China, by comparing with that of TSMC and Samsung electronics. In order to analyze two aspects of the technical level and marketability of the patent, patent impact index(PII) and family patent size(FPS) are used as an analysis method. The results are as follows. First, SMIC is relatively low compared to the world’s leading companies in terms of the quantity of patents. However, considering that the number of patents for five years since 2015 has more than 2 times compared to the number of patents for five years since 2010, We can assume SMIC is actively participating in the process of technological innovation. Second, the PII of SMIC was inferior to that of competitors TSMC and Samsung Electronics in six technology fields except G11C(static stores) and SMIC’s marketability of the patent, which was evaluated by the FPS, recorded a low level in all seven IPC sectors. These results implies that despite the Chinese government’s large-scale semiconductor industry support policy and increasing demand in China, SMIC has limitations as a latecomer in terms of technological innovation performance. On the other hand, considering SMIC’s rising trend in the technological innovation performance and the accumulation of technology across the Chinese semiconductor industry, China could catch up with leading countries in semiconductor industrial sector. This suggests that Korea, which is competing for the world market with China, needs more efforts to protect overseas markets through the development of leading core technologies.

KCI등재

6글로벌생산네트워크의 변화추세 분석 -사회망분석기법을 활용한 자동차 및 반도체 산업을 중심으로

저자 : 이준엽 ( Junyeop Lee ) , 최원익 ( Wonik Choi ) , 박슬기 ( Seulki Park )

발행기관 : (사)아시아문화학술원 간행물 : 인문사회 21 12권 2호 발행 연도 : 2021 페이지 : pp. 1207-1221 (15 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

본 논문은 한국의 주요 수출품목인 자동차와 반도체 산업을 대상으로 하여, 글로벌생산네트워크의 최근 변화 추이를 분석한다. 생산네트워크의 변화를 관찰하기 위해서는 사회망분석기법의 군집구조 및 중심성 분석을 활용한다. 특히 본 논문에서는 기존 연구의 광의품목 분류보다 세분화한 HS6단위의 상품분류를 이용하여 반도체 및 자동차 세부 품목 무역데이터를 기초데이터로 사용하였다. 주요분석결과와 시사점은 다음과 같다. 첫째, 자동차와 반도체 모두에서 글로벌생산네트워크의 군집구조가 약화되는 추세가 관찰된다. 둘째, 미국과 그 외 주요 국가간의 내향 및 외향중심성은 2019년 전후로 반대 방향으로의 변화가 관찰된다. 이는 미국의 보호무역으로 각국의 수출네트워크가 축소되는 영향 및 수입네트워크 확대의 노력이 동시에 작용한 결과라고 판단된다. 셋째, 글로벌생산네트워크에의 영향은 상대적으로 중국 및 반도체 품목에서 큰 변화가 나타난 것으로 관찰된다.


This paper analyzes changing patterns of the global production network focusing on the automobile and semiconductor industries. The main methodologies are the community modularity and centrality analysis based on HS 6digit classification. The main findings are as follows. First, cohesion and centrality analysis reveals that the global production networks has been weakening in both automobile and semiconductor industries. Second, Indegree and outdegree centrality in U.S. and other major countries is observed to change in the opposite direction around 2019. This would be the results of the U.S. initiated trade policy and reponses in other countiries. Third, the impact on the production network is observed relatively large in China and semicomductor industries.

KCI등재

7반도체 EDS 검사 공정의 설비 용량 계획에 관한 최적화 모델

저자 : 김해중 ( Hae Joong Kim ) , 임대은 ( Dae-eun Lim )

발행기관 : 대한설비관리학회 간행물 : 대한설비관리학회지 26권 1호 발행 연도 : 2021 페이지 : pp. 41-52 (12 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

In this paper, a mixed-integer programming (MIP) based capacity planning model for the electrical die sorting (EDS) process where probe cards are used as consumables in semiconductor facilities is presented. The model is designed to satisfy the demand while maximizing the utilization of testers and probe cards in hand. As a result, the level of resource procurement can stay at the minimum level in which directly can be translated into positive profitability. This research employs the decomposition methodology to convert the MIP formulation into a “solver recognizable” format. By doing so, the decomposed model can provide near-optimal solutions instantaneously for practical application and the positive outcome is projected to be over several million dollars.

KCI등재

8초박형 반도체 패키지의 EMC encapsulation을 위한 경화 공정 개발

저자 : 박성연 ( Seong Yeon Park ) , 온승윤 ( Seung Yoon On ) , 김성수 ( Seong Su Kim )

발행기관 : 한국복합재료학회 간행물 : Composites Research(구 한국복합재료학회지) 34권 1호 발행 연도 : 2021 페이지 : pp. 47-50 (4 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

본 연구에서는 면상 발열체인 CNT Heater를 이용한 EMC 패키지 경화 공정 시스템을 개발하기 위하여, 기존 Hot Press 공정과 CNT Heater 공정 시스템을 통해 제작한 EMC/Cu Bi-layer 패키지의 성능을 비교하여 CNT Heater 공정 시스템의 가능성을 확인하였다. CNT Heater 공정의 경화 사이클을 도출하기 위해 Rheometer를 이용해 EMC의 점성을 측정하였다. 앞서 언급한 두 공정에 의해 성형된 EMC/Cu Bi-layer 패키지에서 EMC 내부의 Void를 광학 현미경으로 분석하였다. 또한, C-Scanning Acoustic Microscope와 3D-Digital Image Correlation를 통해 EMC/Cu Bilayer 패키지의 계면 Void와 휨을 분석하였다. 이러한 분석 결과를 기반으로, EMC 내부 및 EMC/Cu Bi-layer의 계면에서 Void가 없음을 확인하였으며, 상온에서의 휨 크기, Zero 휨 온도와 휨 크기 변화에서 차이가 없음을 확인하였다.


In this paper, the Curing process for Epoxy Molding Compound (EMC) Package was developed by comparing the performance of the EMC/Cu Bi-layer package manufactured by the conventional Hot Press process system and Carbon Nanotubes (CNT) Heater process system of the surface heating system. The viscosity of EMC was measured by using a rheometer for the curing cycle of the CNT Heater. In the EMC/Cu Bi-layer Package manufactured through the two process methods by mentioned above, the voids inside the EMC was analyzed using an optical microscope. In addition, the interfacial void and warpage of the EMC/Cu Bi-layer Package were analyzed through C-Scanning Acoustic Microscope and 3D-Digital Image Correlation. According to these experimental results, it was confirmed that there was neither void in the EMC interior nor difference in the warpage at room temperature, the zero-warpage temperature and the change in warpage.

KCI등재SCISCOUPUS

9캐리어 산란 메커니즘에 따른 열전반도체의 이론 전자수송 특성 변화

저자 : 김상일 ( Sang-il Kim ) , 김현식 ( Hyun-sik Kim )

발행기관 : 대한금속재료학회(구 대한금속학회) 간행물 : 대한금속재료학회지 59권 2호 발행 연도 : 2021 페이지 : pp. 127-134 (8 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

The widespread application of thermoelectric devices in cooling and waste heat recovery systems will be achieved when materials achieve high thermoelectric performance. However, improving thermoelectric performance is not straightforward because the Seebeck coefficient and electrical conductivity of the materials have opposite trends with varying carrier concentration. Here, we demonstrate that carrier scattering mechanism engineering can improve the power factor, which is the Seebeck coefficient squared multiplied by electrical conductivity, by significantly improving the electrical conductivity with a decreased Seebeck coefficient. The effect of engineering the carrier scattering mechanism was evaluated by comparing the band parameters (density-of-states effective mass, non-degenerate mobility) of Te-doped and Te, transition metal co-doped n-type Mg2Sb3 fitted via the single parabolic band model under different carrier scattering mechanisms. Previously, it was reported that co-doping transition metal with Te only changed the carrier scattering mechanism from ionized impurity scattering to mixed scattering between ionized impurities and acoustic phonons, compared to Te-doped samples. The approximately three times enhancement in the power factor of Te, transition metal co-doped samples reported in the literature have all been attributed to a change in the scattering mechanism. However, here it is demonstrated that Te, transition metal co-doping also increased the density-of-states effective mass. Here, the impact of the scattering mechanism change on the electric transport properties of n-type Mg2Sb3 without an effective mass increase was studied. Even without the effective mass increase, carrier scattering mechanism engineering improved the power factor, and its effect was maximized by appropriate carrier concentration tuning. (Received December 17, 2020; Accepted December 22, 2020)

KCI등재

10미국의 화웨이 제재와 약탈적 패권 -미일 반도체 마찰 사례와의 비교를 중심으로-

저자 : 문준호 ( Moon Jun Ho ) , 이기현 ( Lee Ki Hyun )

발행기관 : 한중사회과학학회 간행물 : 한중사회과학연구 60권 0호 발행 연도 : 2021 페이지 : pp. 7-28 (22 pages)

다운로드

(기관인증 필요)

초록보기

본 연구는 미국의 화웨이 제재가 ‘약탈적 패권’이라는 구조적 변화에서 기인했다고 주장한다. 즉, 쇠퇴하는 패권국이 패권을 유지하고 도전국에 대해 경제적ㆍ기술적 우위를 확보하기 위한 필요성에서 비롯된 현상이라는 것이다. 이를 경험적으로 증명하기 위해 기술영역에서의 ‘약탈적 패권’ 사례라고 볼 수 있는 1980-90년대의 미일 반도체 마찰과 화웨이 사태를 비교하였다. 두 사례는 비록 도전국의 성격이나 미국 내 정책결정 과정 등 여러 분야에서 차이가 존재했으나, 결론적으로 패권국의 역량 쇠퇴와 도전국의 경제ㆍ기술 추격이라는 공통점을 보여주었다. 이 연구는 길핀의 ‘약탈적 패권’ 논의가 오늘날의 국제정치경제를 분석함에 있어서도 여전히 유용함을 보여준다.


This study maintains that the U.S. sanction against Huawei is stemmed from a structural shift, called ‘predatory hegemony’. In other words, U.S., a weakening hegemon, sees the need to maintain its hegemony and have the upper hand in the current economic and technological competition with China, a rising power. To support our argument empirically, we review the history of US-Japan conflict in semiconductor technology in 1980s to 1990s, which can be seen as a case of ‘predatory hegemony’ in the technology sector, and compare it to the current Huawei incident. Although there were differences In many areas both cases showed the decline of the hegemonic power and the challenger’s economic and technological pursuit. As a result, our empirical analysis show that Gilpin’s ‘predatory hegemony’ argument is still a useful tool in analyzing phenomena in the realm of international political economy.

내가 찾은 최근 검색어

최근 열람 자료

맞춤 논문

보관함

내 보관함
공유한 보관함

1:1문의

닫기