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KCI 등재
광도파로 제작을 위한 단결정 LiNbO3 건식 식각 특성
Dry Etching Characteristics of LiNbO<sub>3</sub> Single Crystal for Optical Waveguide Fabrication
박우정, 양우석, 이한영, 윤대호
DOI http://dx.doi.org/10.4191/KCERS.2005.42.4.232

$LiNbO_{3}$ optical waveguide 구조를 neutral loop discharge plasma 방법으로 식각시 As과 $C\_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량에 따른 식각속도와 표면조도 값의 특성을 관찰하였다. 식각 후 식각속도와 식각단면은 scanning electron microscopy로 비교 분석하였으며, 표면조도는 atomic force microscopy로 측정하였다. Ar과 $C_{3}F_{8}$가 혼합된 가스 유량비를 각각 0.1-0.5로 증가시킴에 따라 식각속도와 표면조도는 0.2에서 가장 높게 나타났으며, bias power를 증가함에 따라 300W에서 가장 우수한 식각속도와 가장 평탄한 표면 형상을 얻을 수 있었다.

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