본 논문은 5G 시스템에 적용되어 인 빌딩, 지하철과 터널등에 사용되는 50 Watts급 중계기용 고효율 전력증폭기 설계 방법과 전기적 특성을 나타내었다. 여기서 설계된 전력증폭기의 종단 트랜지스터는 GaN(gallium nitride)을 사용하여 도허티방식으로 구성하였으며, 선형성을 만족시키기 위해서 DPD(digital predistortion)를 이용하여 혼변조 신호를 제거하였다. 또한, 5G 시스템에서 요구되는 증폭기의 이득 제어와 경보 처리등 다양한 요구사항을 처리하기 위해서 마이크로프로세서가 전력증폭기 내부에 존재하게 설계하였다. 통신사업자가 요구하는 규격의 전력증폭기는 46.5 dBm 출력전력과 증폭기 전체의 효율이 37%가 측정되었고, EVM(error vector magnitude)은 2.3% 그리고 ACLR(adjacent channel leakage ratio)은 52.8 dBc로 측정되어 요구되는 전기적 특성과 다양한 경보조건을 만족하는 것을 확인하였다.

This paper presents the design method and electrical characteristics of a high-efficiency power amplifier for a 50 Watts class repeater applied to a 5G system and used in in-building, subway, and tunnel. GaN was used for the termination transistor of the power amplifier designed here, and intermodulation signals were removed using DPD to satisfy linearity. In addition, in order to handle various requirements such as amplifier gain control and alarm processing required in the 5G system, the microprocessor is designed to exist inside the power amplifier. The amplifier manufactured to confirm the electrical performance of the power amplifier satisfying these conditions satisfied 46.5 dBm and the overall efficiency of the amplifier was 37%, and it was confirmed that it satisfied various alarm conditions and electrical characteristics required by telecommunication companies.