본 연구는 D램 반도체 클리닝 공정의 Wet 장비에서 케미칼 서큘레이션과 웨이퍼 식각량과의 관계 규명을 통해 부적합품 개선과 장비 관리방안 제시에 목적을 두었다. H사 핵심성과지표 중 ‘디램 수율 향상’ 부문의 현황 분석을 통해 부서목표 미달성과 예상 손실 금액 상위인 클리닝 공정을 연구대상으로 선정하였고, 부적합품 현황분석 결과 ‘식각량 부적합품률’이 클리닝 공정의 82.5% 비중을 차지하여 중점관리 항목으로 선정 후 연구를 진행하였다. 장비/공정 성능 기술자료를 토대로 웨이퍼 면의 산화막을 제거하는 ‘식각량’의 특성인자 6개를 도출, 핵심인자 도출을 위한 ‘장비간 차이인자 분석’을 진행하였다. 생산 장비에 설치된 Sensor Data를 토대로 통계 Logic을 활용해 미세 차이인자 분석을 진행하였고, 주성분 차트에서 영향인자 중 기여값 0.5 이상인 케미칼 서큘레이션이 도출되었며 각 동일 장비의 서큘레이션 별 Box Plot을 통해 부적합품 과다의 핵심 인자로 채택하였다. 이후 PM 분석을 통해 Bath 내부의 케미칼 분사 노즐 각도가 서큘레이션 저하 요인임을 확인했고 CFD(전산유체역학)를 통한 시뮬레이션 검증으로 해당 요인을 시각화 하였다. 케미칼 분사 노즐 각도 최적화를 위해 장비 MP 정보 상 노즐 공정능력 기준, 8가지 유형에 대해 일원 배치 분산분석을 진행하였고 웨이퍼 식각량 목표 값인 385 옹스트롱에 가장 근접한 최적 각도 135도를 채택, 개선전 45도에서 135도로 Modify 하였다. 연구결과 케미칼 서큘레이션 최적화를 통한 식각량 부적합품률은 8,042 ppm에서 5,014ppm으로 감소하였고, H사 측면으로 클린 공정 Wet Sink Model의 케미칼 서큘레이션 관리방안과 부적합품 관리 Process 최적화를 장비 제작사 측면으로 사양 표준화에 대한 건설적 소통과 정기 협업 체계 구성의 기회를 제시하였다.