본 연구에서는 기존의 HVPE법을 개선한 modifed HVPE 반응 장치를 이용하여 면적이 10x10m㎡인 사파이어 기판 위에 2단계 성장법으로 GaN 에피층을 증착시켰다. 저온 GaN buffer층의 성장 조건에 따른 증착층의 morphology, 결정성, 광학적 특성을 조사하였으며, 최적화된 성장조건에서 거울면 같이 평탄한 GaN 에피층을 얻을 수 있었다. HRXRD rocking curve에서 나타난 GaN (0002)면에 대한 FWHM값은 530 acrsec로서 결정성이 우수한 GaN가 성장되었음을 확인할 수 있었다.
