반도체 / 13-2-3 : 고 에너지 이온 주입된 CMOS 쌍 우물 구조의 레치업 면역성 예측을 위한 TCAD 모의실험 연구

Candidate

A Study on the TCAD Simulation to Predict the Latchup Immunity of High Energy Ion Implanted CMOS Twin Well Structures

송한정(Song Han Jung),김종민(Kim Jong Min),곽계달(Kwack Kae Dal)

한국전기전자재료학회 2000.02

전기전자재료학회논문지 vol. 13 iss. 2 106-113(8pages)

UCI I410-ECN-0102-2009-560-009449055

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