소자구조 변화에 따른 고속 InP/InGaAs APD 특성 연구

박준규; 윤일구

한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 소자구조 변화에 따른 고속 InP/InGaAs APD 특성 연구

Simulation of High-speed InP/InGaAs APDs with structural parameter variation

박준규 ( Joon Kyu Park ) , 윤일구 ( Ilgu Yun )

한국전기전자재료학회 2008.06

한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 2008권 433-434(2pages)

UCI I410-ECN-0102-2015-500-001796023

인용하기 URL 복사 보관함 담기

이 자료는 4페이지 이하의 자료입니다.

초록

반도체 공정 기술의 진보로 인해 InP/InGaAs로 제작된 애벌랜치 포토다이오드가 고속 광통신 시스템에서 사용되고 있다. 하지만 경계 항복에 의한 접합 부분의 강한 전기장으로 인한 문제와 항복 이득의 저하 문제로 소자 특성의 문제가 발생하고 있다. 이 논문에서는 소자 구조 변화에 따른 고속 InP/InGaAs 애벌랜치 포토다이오드의 특성 변화를 공정/소자 시뮬레이션을 이용하여 분석하였다.

키워드

참고문헌 (0)

[자료제공 : 네이버학술정보]