원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한 AI₂O₃의 건식식각 특성을 연구하였다. 전자 싸이클로트론 공진 (electron cyclotron resonance : ECR) 방식의 건식식각장치에서 source power, bias power, 압력 그리고 CI₂가스를 변수로 하여 AI₂O₃의 식각속도와 Poly-Si 의 AI₂O₃에 대한 선택비를 측정하였다. bias power가 감소할수록 그리고 압력이 증가할수록 AI₂O₃의 식각속도는 감소하였고 Poly-Si 의 AI₂O₃에 대한 선택비는 증가하였다. 이 특성을 이용하여 TiN/ AI₂O₃/Poly-Si 구조의 캐패시터와 Periphery 회로영역의 레지스터를 AI₂O₃를 식각 정지막으로 이용하여 구현하였다.