Candidate
반도체 : SiH4 와 SiH2Cl2 가스에 의해 형성된 텅스텐 폴리사이드 전극이 게이트 산화막의 특성에 미치는 영향
Effects of Tungsten Polycide Electrode Formed by SiH4 and SiH2Cl2 Gases on Gate Oxide Characteristics
한국전기전자재료학회
1999.05
