센서,박막재료 (2) : 인입 전류에 따른 실리콘(Silicon) 다이오드의 극저온 p-n 접합의 문턱 전압 특성

Properties of p-n junction threshold voltage of Silicon diode by transport current in cryogenic temperature

이안수 ( Lee An Su ) , 이승제 ( Lee Seung Je ) , 이응로 ( Lee Eung Lo ) , 고태국 ( Go Tae Gug )

한국전기전자재료학회 2003.07

한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 vol. 2003 iss. 1 864-867(4pages)

UCI I410-ECN-0102-2009-560-002470343

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