학술대회 논문집 : 반도체재료 (2) ; TaN 게이트 전극을 가진 HfOxNy (HfO2) 게이트 산화막의 열적 안정성

Oral Session : Thermal Stability and Electrical Properties of HfOxNy (HfO2) Gate Dielectrics with TaN Gate Electrode

김전호 ( Kim Jeon Ho ) , 최규정 ( Choe Gyu Jeong ) , 윤순길 ( Yun Sun Gil ) , 이원재 ( Lee Won Jae ) , 김진동 ( Kim Jin Dong )

한국전기전자재료학회 2003.07

한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 vol. 2003 54-57(4pages)

UCI I410-ECN-0102-2009-560-002472307

More

Cite Copy URL Bookshelf

This article is 4 pages or less.

Abstract

Keywords

Table of Contents

References (0)

[자료제공 : 네이버학술정보]