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Czochralski 법으로 제조된 실리콘 단결정 내의 Flow Pattern Defect 와 Large Pit 의 열적 거동 및 소자 수율에의 영향
Thermal Behavior of Flow Pattern Defect and Large Pit in Czochralski Silicon Crystals and Their Effects on Device Yield
송영민(Young M . Song), 조기현(Ki Hyun Cho), 김종오(Chong Oh Kim)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001247375
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