기억상태에 있는 전하트랩형 비휘발성 반도체 기억소자의 하위문턱이상전류특성

Anomalous Subthreshold Characteristics for Charge Trapping NVSM at memory states.

김병철(Byung Cheol Kim), 김주연(Joo Yeon Kim), 서광열(Kwang Yell Seo), 이상배(Sang Bae Yi)

한국전기전자재료학회 1998.01

한국전기전자재료학회 추계학술대회논문집 vol. 1998 13-16(4pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001247380

More

Cite Copy URL Bookshelf

This article is 4 pages or less.

Abstract

Keywords

Table of Contents

References (0)

[자료제공 : 네이버학술정보]