산화막의 NO/N2O 질화와 재산화 공정을 이용한 전하트랩형 NVSM 용 게이트 유전막의 성장과 특성

Growth and Characteristics of NO/N2O Oxynitrided and Reoxidized Gate Dielectrics for Charge Trapping NVSMs

윤성필(Sung Pil Yoon), 이상은(Sang Eun Lee), 김선주(Seon Ju Kim), 서광열(Kwang Yell Seo), 이상배(Sang Bae Yi)

한국전기전자재료학회 1998.01

한국전기전자재료학회 추계학술대회논문집 vol. 1998 9-12(4pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001247395

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