닫기
18.97.14.82
18.97.14.82
close menu
질화 , 재산화시킨 모스 절연막의 온도 변화에 따른 누설전류의 변화
Temperature dependance of Leakage Current of Nitrided , Reoxided MOS devices
이정석(Jung Suk Lee), 장창덕(Chang Dug Jang), 이용재(Young Jae Lee)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001249657
This article is 4 pages or less.
×