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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 Preparation of Bi4Ti3O12 thin film on Si(100) substrate using Bi2SiOO5 buffer layer and its electric characterization
Preparation of Bi4Ti3O12 thin film on Si(100) substrate using Bi2SiOO5 buffer layer and its electric characterization
( T . Kijima , H . Matsunaga )
한국전기전자재료학회 1998.12
E²M-전기 전자와 첨단 소재 11권 12호 79-79(1pages)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001249066
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