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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 An Ultra - Low - Temperature Poly - Si TFT with Stacked Composite ECR - PECVD Gate Oxide
An Ultra - Low - Temperature Poly - Si TFT with Stacked Composite ECR - PECVD Gate Oxide
( Y . J . Tung , X . Meng , T . J . King , P . G . Carey , P . M . Smith , S . D . Theiss , R . Weiss , G . A . Davis , V . Aebi )
한국전기전자재료학회 1998.12
E²M-전기 전자와 첨단 소재 11권 12호 77-78(2pages)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001249117
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