고감도 능동픽셀센서(active pixel sensor, APS)를 위한 PMOSFET 광검출기를 설계 및 제작하였다. 이 센서는 5V의 전원 전압을 사용하며, 1-poly 2-metal 1.5㎛ CMOS공정으로 제작하였다. 사용된 광검출기는 빛에 대한 감도를 높이기 위해서 n-well과 게이트를 연결한 PMOSFET을 사용하였다. 제작된 광검출기는 일반 MOSFET의 곡선과 유사한 특성을 가진다. PMOSFET 광검출기를 기본으로 하여 설계된 1차원 이미지 센서는 16개의 픽셀로 구성되어 있으며, 단위 픽셀은 하나의 PMOSFET 광검출기와 4개의 NMOSFET으로 구성되어있다. 단위 픽셀의 크기는 86㎛×90.5㎛이며, 개구율은 약 12%이다.

A PMOSFET photodetector for highly-sensitive active pixel sensor(APS) is presented. This sensor uses 5V power supply and has been designed and fabricated using 1-poly and 2-metal 1.5㎛ CMOS technology. The feature of a PMOSFET photodecector is that the polysilicon gate of the PMOSFET was connected go n-well, in order to increase the photo sensitivity. The designed MOS photodetector has similar IDS-VDS characteristics with a standard MOSFET. One dimensional image sensor with 16 pixels based on the PMOSFET photodetector has also been designed and fabricated. Unit pixel of the designed sensor consists of a PMOSFET photodetector and 4 NMOSFETs. Unit pixel area is 86㎛ × 90.5㎛ and its fill factor is about 12%.