RF Sputtering 으로 제작한 SiO2 및 SiO2/TiN 박막의 R-V 특성 - 전기전자재료학회논문지 - 한국전기전자재료학회 - KISS

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 RF Sputtering 으로 제작한 SiO2 및 SiO2/TiN 박막의 R-V 특성

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RF Sputtering 으로 제작한 SiO2 및 SiO2/TiN 박막의 R-V 특성

The R-V Characteristics of SiO2 & SiO2/TiN Thin Film Fabricated by RF Sputtering

김창석 , 하충기 , 김병인 ( Chang Suk Kim , Choong Ki Ha , Byung In Kim )

한국전기전자재료학회 1998.10

전기전자재료학회논문지 vol. 11 iss. 10 826-832(7pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001250450

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