Electroreflectance 측정에 의한 Si 이 첨가된 Al0.32Ga0.68As 에서의 E1 전이에 대한 연구

Candidate

A Study on E1 Transition in Si - Doped Al0.32Ga0.68As by Electroreflectance Measurement

김동렬 , 손정식 , 김근형 , 이철욱 , 배인호 , 한병국 ( Dong Lyeul Kim , Jeong Sik Son , Geun Hyoung Kim , Chul Wook Lee , In Ho Bae , Byung Kuk Han )

한국전기전자재료학회 1998.09

전기전자재료학회논문지(J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng.) vol. 11 iss. 9 687-692(6pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001252338

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