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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 Influence of Profile Shape Factors on Intrinsic Si - MESFET Device Capacitances Under Diffusion Mechanism

Influence of Profile Shape Factors on Intrinsic Si - MESFET Device Capacitances Under Diffusion Mechanism

( S . Rajesh , C . Thomas , R . S . Gupta )

한국전기전자재료학회 1998.10

E²M-전기 전자와 첨단 소재 vol. 11 iss. 10 176-176(1pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001251255

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