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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 A New Z11 Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFETs and MESFETs

A New Z11 Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFETs and MESFETs

( Alexander N . Ernst , Mark H . Somerville )

한국전기전자재료학회 1998.10

E²M-전기 전자와 첨단 소재 vol. 11 iss. 10 176-176(1pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-001251260

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