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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 A New Z11 Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFETs and MESFETs
A New Z11 Impedance Technique to Extract Mobility and Sheet Carrier Concentration in HFETs and MESFETs
( Alexander N . Ernst , Mark H . Somerville )
한국전기전자재료학회 1998.10
E²M-전기 전자와 첨단 소재 11권 10호 176-176(1pages)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001251260
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