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한국전기전자재료학회 E²M-전기 전자와 첨단 소재 A Self - Aligned Gate GaAs MESFET with P - Pocket Layers for High Efficiency Linear Power Amplifiers
A Self - Aligned Gate GaAs MESFET with P - Pocket Layers for High Efficiency Linear Power Amplifiers
( Kazuya Nishihori , Yoshiaki Kitaura , Mayumi Hirose , Masakatsu Mihara , Masami Nagaoka , Naotaka Uchitomi )
한국전기전자재료학회 1998.10
E²M-전기 전자와 첨단 소재 11권 10호 174-174(1pages)
UCI I410-ECN-0102-2008-560-001251311
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