ECR 플라즈마에서 BCI3 / SF6 혼합 가스를 이용한 Al0.25Ga0.75As 에 대한 GaAs 의 선택적 식각에 대한 연구

Candidate

An Investigation of Selective Etching of GaAs to Al0.25Ga0.75As Using BCI3 / SF6 Gas Mixture in ECR Plasma

이철욱 , 이동육 , 손정식 , 배인호 , 박성배 ( Chul Wook Lee , Dong Yul Lee , Jeong Sik Son , In Ho Bae , Sung Bae Park )

한국전기전자재료학회 1998.06

전기전자재료학회논문지 vol. 11 iss. 6 447-452(6pages)

UCI I410-ECN-0102-2009-560-007352544

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