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한국전기전자재료학회
E²M-전기 전자와 첨단 소재
ECR 플라즈마에서 BCI3 / SF6 혼합 가스를 이용한 Al0.25Ga0.75As 에 대한 GaAs 의 선택적 식각에 대한 연구
ECR 플라즈마에서 BCI3 / SF6 혼합 가스를 이용한 Al0.25Ga0.75As 에 대한 GaAs 의 선택적 식각에 대한 연구
이철욱 , 이동율 , 손정식
한국전기전자재료학회
1998.06
E²M-전기 전자와 첨단 소재
vol. 11 iss. 6
552-552(1pages)
UCI
I410-ECN-0102-2009-560-007352408
₩ 1,000
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