Indium oxide-base 후막형 가스센서의 이산화질소(NO_2) 감지특성을 조사하였다. 기본 감지물질로는 In_2O_3, ITO(indium tin oxide)를 사용하였고, 여기에 WO_3와 Pd, Pt 귀금속 촉매를 첨가하여 이산화질소에 대한 반응특성을 실험하였다. 감도, 회복특성을 고려할 때, 350℃의 히터구동온도에서 가장 우수한 반응특성을 보였다. 1wt% 이상 WO_3 첨가시에 반응 감도(sensitivity)가 증가하였고, 귀금속 촉매인 Pd, Pt에 의해서도 감도특성이 향상되었다. 또한, 반복 on-off실험을 해서 신호의 안정성을 확인하였고 장기안정성 test에서도 우수한 특성을 나타내었다.

The thick film of indium oxide-based semiconductor for the NO_2 detection have been prepared and their characteristics were investigated. It was shown that the optimum operating temperature of the sensors are 350℃ for In_2O_3-based sensor. NO_2 sensitivity increased as the WO_3 concentration increased to more than lwt%. The addition of Pd and Pt also enhanced the sensitivity to NO_2. Indium oxide-based sensors showed excellent reproducibility and stability for the detection of NO_2.