저압 MOCVD 로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성

손창식

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 저압 MOCVD 로 CBr4 가스를 사용하여 탄소도핑된 GaAs 에피층의 결정학적 방향에 따른 전기적 성질의 의존성

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Crystallographic Orientation Dependence of Electrical Properties of Carbon - doped GaAs Grown by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using CBr4

손창식(Chang Sik Son)

한국전기전자재료학회 2002.03

전기전자재료학회논문지 vol. 15 iss. 3 214-219(6pages)

UCI I410-ECN-0102-2009-560-004503818

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