화학증착법을 통하여 650℃의 증착온도와 0.0126Torr의 산소분압인 증착조건에서 원료물질로 β-diketonates 킬레이트 화합물을 사용하여 Si(111) 및 SrTiO₃(100) 기판에 YBa₂Cu₃Oy 고온 초전도 박막을 제조하였다. SrTiO₃(100)기판에서 제조된 박막의 T_(c.onset)과 T_(c.o)는 각각 91K와 87K로 나타났다. 또한, Si(111)기판에서 제조된 박막의 T_(c.onset)은 91K였지만 T_(c.o)는 액체질소 비등점(77.3K)에서는 보이지 않았다. SrTiO₃(100)에 증착된 초전도 박막은 치밀하고 2차원적으로 배열된 미세구조를 갖고 있는 반면, Si(111)에 증착된 초전도 박막은 상대적으로 기공이 많으며 무질서한 미세구조를 형성하였다.

Superconducting YBa₂Cu₃Oy thin films were prepared at the deposition temperature of 650℃ under oxygen partial pressure of 0.0126Torr on Si(111) and SrTiO₃(100) substrates by chemical vapor deposition technique using β-diketonates of Y, Ba and Cu as source materials. The thin film fabricated on SrTiO₃(100) had a T_(c.onset) of 91 K and T_(c.o) of 87 K. The thin film prepared on Si(111) had a T_(c.onset) of 91 K but didn`t have a T_(c.o) at liquid nitrogen boiling point(77.3 K). Dense and two-dimensionally well alligned microstructure was developed for the film deposited on SrTiO₃(100) substrate whereas a relatively porous and randomly distributed microstructure was developed for the film prepared on Si(111) substrate.