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대구가톨릭대학교 자연과학연구소
기초과학연구논집
LEC 방법에 의하여 성장된 As-riched SI-GaAs 의 전기적 특성
LEC 방법에 의하여 성장된 As-riched SI-GaAs 의 전기적 특성
GaAs Grown by the Liquid-Encapsulated Czochraski Method
박미영(Mi Young Park),한상희(Sang Hee Han),김화민(Hwa Min Kim)
대구가톨릭대학교 자연과학연구소
1996.12
기초과학연구논집
vol. 10
27-35(9pages)
UCI
I410-ECN-0102-2009-400-006724787
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₩ 4,500
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