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한국전기전자재료학회
E²M-전기 전자와 첨단 소재
A study of L-band GaAlAs/GaAs HBTs for high-voltage RF-power
A study of L-band GaAlAs/GaAs HBTs for high-voltage RF-power
(Johansson T . Soderstrom J .) , (Eastman L . F .) , (Woodard D . W .)
한국전기전자재료학회
2000.06
E²M-전기 전자와 첨단 소재
13권 6호
40-40(1pages)
UCI
I410-ECN-0102-2009-560-006550171
₩ 1,000
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