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KCI 후보
반도체 / Offset 구조를 갖는 n - 채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 I-V 분석
The Analysis of I-V characteristics on n-channel offset gated poly-Si TFT's
변문기(M . G . Byun),이제혁(J . H . Lee),임동규(D . G . Lim),박태성(T . S . Park),이진민(J . M . Lee),김영호(Y . H . Kim)
UCI I410-ECN-0102-2009-560-006550646
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