ECR 플라즈마 화학증착법을 이용하여 a-Si:H막을 제조하고, 막의 특성을 결정짓는 수소의 함량과 조업변수와의 관계를 규명하였다. FTIR로부터 얻은 자료의 분석에 의하면 증착속도가 클수록 SiH₄의 유량이 증가할수록 막의 수소함량은 감소한 반면 기판의 온도가 증가함에 따라 수소함량은 오히려 증가하였다. 증착속도는 SiH₄의 분압이 증가할수록, 마이크로파의 세기가 클수록 증가하였다. 그러나 ECR이 형성되는 위치, 기판의 온도는 증착속도에 거의 영향을 미치지 못했다. a-Si:H막 표면의 SEM사진 분석에 의하면 마이크로파의 세기와 기판의 온도가 증가할수록 막 표면의 거칠기는 향상되었다. ECR 플라즈마 화학증착법을 이용하여 a-Si:H막을 형성시키는 경우 마이크로파의 세기를 크게 하면 증착속도가 증가될 뿐 아니라 수소함량이 감소되며 표면의 거칠기도 향상된다는 것을 알 수 있었다.

Characteristics of the hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) films prepared by the electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition(ECRP CVD) method at low pressure(10^(-3)Torr) were studied. Deposition rate, hydrogen content and surface roughness were investigated under various deposition conditions such as substrate temperature, partial pressure of SiH₄ and microwave power. The hydrogen content in the deposited films decreased with the increase of the microwave power and SiH₄ partial pressure, but increased with the substrate temperature. The deposition rate depended greatly upon the microwave power and partial pressure of SiH₄, but slightly upon substrate temperature. The roughness of the deposited film surface was improved as substrate temperature and microwave power increased.