N2O 가스를 사용하여 PECVD 로 성장된 Oxynitride 막의 특성 - 전기전자재료학회논문지 - 한국전기전자재료학회 - KISS

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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 N2O 가스를 사용하여 PECVD 로 성장된 Oxynitride 막의 특성

N2O 가스를 사용하여 PECVD 로 성장된 Oxynitride 막의 특성

Characteristics of Oxynitride Films grown by PECVD using N2O Gas

최현식 이철인 장의구 ( Hyun Sik Choi , Cheol In Lee , Eui Goo Chang )

한국전기전자재료학회 1996.01

전기전자재료학회논문지 vol. 9 iss. 1 9-16(8pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-002019815

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