서브마이크론 MOSFET 의 파라메터 추출 및 소자 특성 ( Ⅱ ) - 제작된 소자의 특성 - - 전기전자재료학회논문지 - 한국전기전자재료학회 - KISS

오늘 하루 이 창을 열지 않음

닫기

216.73.216.106

회원가입
로그인
고객센터
한국어 ENG

Ai 검색 소개

Ai 검색 소개

상세검색

216.73.216.106

한국어 ENG

고객센터
AI 검색 소개

한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 서브마이크론 MOSFET 의 파라메터 추출 및 소자 특성 ( Ⅱ ) - 제작된 소자의 특성 -

서브마이크론 MOSFET 의 파라메터 추출 및 소자 특성 ( Ⅱ ) - 제작된 소자의 특성 -

Parameter Extraction and Device Characteristics of Submicron MOSFET ` S ( Ⅱ ) - Characteristics of fabricated devices -

서용진 장의구 ( Yong jin Seo , Eui goo Chang )

한국전기전자재료학회 1994.01

전기전자재료학회논문지 7권 3호 225-230(6pages)

UCI I410-ECN-0102-2008-560-002017457

더보기

인용하기 URL 복사 보관함 담기

초록

키워드

목차

참고문헌 (0)

[자료제공 : 네이버학술정보]

인용하기

KOR ENG

인용형식

저자명 년도 논문명 간행물명 권호 쪽수

저장형식

보관함 담기

선택하신 개의 자료를

에 담습니다.

KISS 콘텐츠를 사전 허가 없이 무단으로 크롤링 및 복제, 배포할 경우 민형사상 책임을 물을 수 있습니다.

개인정보취급방침

(10881) 경기도 파주시 회동길 230 한국학술정보(주)

고객센터 080-500-3181

대표이사 채종준

사업자등록번호 111-81-26181

통신판매업신고 파주-1250호

개인정보관리책임자 조동범

패밀리사이트

북토리

스탑북

Copyright KISS. All rights reserved. Ver. 1.0.5.3

LOGIN

기관대표계정

ID

password

회원가입 아이디/비밀번호 찾기

or

네이버로그인

카카오로그인

구글로그인

상세검색

˙ 검색어

˙ 주제분류

전체

인문학

사회과학

자연과학

공학

의약학

농수해양학

예술체육학

복합학

˙ 발행연도

전체 최근 1년

직접입력

~

˙ 서지자료

다운로드가 불가하고 서지정보만 제공하는 자료

제외 포함

×