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한국전기전자재료학회> E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료)> 용액공정 기반 금속산화물 반도체를 이용한 전기화학적 트랜지스터 소재 기술

용액공정 기반 금속산화물 반도체를 이용한 전기화학적 트랜지스터 소재 기술

홍기현
  • : 한국전기전자재료학회
  • : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권2호
  • : 연속간행물
  • : 2018년 04월
  • : 25-35(11pages)

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UCI(KEPA)

I410-ECN-0102-2018-500-003856406

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  • : 공학분야  > 전기공학
  • :
  • :
  • : 격월
  • : 1226-7937
  • :
  • : 학술지
  • : 연속간행물
  • : 1997-2019
  • : 3057


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발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 38-41 (4 pages)

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발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 48-51 (4 pages)

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발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 56-63 (8 pages)

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발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 66-67 (2 pages)

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Herein, we report the manufacture of high-performance, ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) and complementary-like electronic circuitry based on a blended, polymeric, semiconducting film. Relatively high and wellbalanced electron and hole mobilities were achieved by incorporating a small amount of ionic additives. The equivalent P-channel and N-channel properties of the ambipolar OFETs enabled the manufacture of complementary-like inverter circuits with a near-ideal switching point, high gain, and good noise margins, via a simple blanket spin-coating process with no additional patterning of each active P-type and N-type semiconductor layer.

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