초임계 건식 식각 공정에서 HF수용액을 초임계 이산화탄소에 녹인 식각용액을 사용하여 희생막으로 사용되는 테트라에톡시실란막 (TEOS막) 층에 대한 식각 성능을 조사하였다. HF에 대한 물의 조성에 따른 산화막 식각률의 비교를 통하여 식각에 가장 효과적인 비율을 조사하였다. 50 wt%의 HF수용액을 이용하여 초임계 이산화탄소에서 TEOS막의 건식식각을 진행 할 경우, 990 nm/min의 높은 식각속도와 잔여물이 전혀 남지 않는 우수한 식각 성능을 확인할 수 있었다.

Etching performance was investigated for sacrificial oxides, P-TEOS using the homogeneous mixture of HF aqueous solution in supercritical carbon dioxide (scCO2). The effect of H2O content in HF/H2O on the etch rate was studied by the etching experiments with different ratio of H2O to HF. The etching rate of 990 nm/min was obtained from the dry etching of P-TEOS using a 50 wt% HF aqueous solution as an etchant in scCO2 and the process did not leave any byproduct on the wafer