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대한금속재료학회 재료마당 나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 SOI C-MOSFET 제작
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 SOI C-MOSFET 제작
Fabrication of Nano-scale Strained Silicon Grown on Relaxed SiGe on Insulator for Beyond Sub-micron C-MOS FET
박재근 ( Jea Gun Park )
대한금속재료학회 2004.10
재료마당 17권 5호 17-22(6pages)
UCI I410-ECN-0102-2009-580-002452172
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