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한국전기전자재료학회> E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료)

E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) update

Electrical & Electronic Materials

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수록정보
31권2호(2018) |수록논문 수 : 11
간행물 제목
31권2호(2018년) 수록논문
권호별 수록 논문
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1산화물 전자재료의 분극 및 차폐 전하 영상화

저자 : 홍승범

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 8-15 (8 pages)

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2산화물 2차원전자가스를 이용한 광소자응용

저자 : 박정웅

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 16-24 (9 pages)

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3용액공정 기반 금속산화물 반도체를 이용한 전기화학적 트랜지스터 소재 기술

저자 : 홍기현

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 25-35 (11 pages)

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4기업 탐방

저자 : 한국전기전자재료학회

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 38-41 (4 pages)

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5전자 · 원자구조 이미징 해석 연구실

저자 : 오동고

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 42-47 (6 pages)

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6유럽 자동차 배터리 컨퍼런스(AABC) 자동차의 나라 독일에서

저자 : 김준호

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 48-51 (4 pages)

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7과학 교육의 도시 노스캐롤라이나 주립대학교를 다녀와서…

저자 : 강민석

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 52-55 (4 pages)

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8알고보면 재료공학 공학적인 예술 세계, 금속공예!

저자 : 민준석

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 56-63 (8 pages)

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92018년도 제9회 기술강좌 개최 전력설비 예측진단 및 감시기술 세미나

저자 : 한국전기전자재료학회

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 66-67 (2 pages)

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10이온성 첨가제 도입을 통한 고이동도 고분자 반도체 특성 구현과 유기전계효과 트랜지스터 및 유연전자회로 응용 연구

저자 : 이동현 , 문지훈 , 박준구 , 정지윤 , 조일영 , 김동은 , 백강준

발행기관 : 한국전기전자재료학회 간행물 : E²M-전기 전자와 첨단 소재(구 전기전자재료) 31권 2호 발행 연도 : 2018 페이지 : pp. 70-70 (1 pages)

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Herein, we report the manufacture of high-performance, ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) and complementary-like electronic circuitry based on a blended, polymeric, semiconducting film. Relatively high and wellbalanced electron and hole mobilities were achieved by incorporating a small amount of ionic additives. The equivalent P-channel and N-channel properties of the ambipolar OFETs enabled the manufacture of complementary-like inverter circuits with a near-ideal switching point, high gain, and good noise margins, via a simple blanket spin-coating process with no additional patterning of each active P-type and N-type semiconductor layer.

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